最近第三代半導體材料的發展趨勢頗受國內外關注，包括鴻海以新台幣25.2億元買下旺宏6吋晶圓廠，將做為第三代半導體的研發生產基地；大陸傾「洪荒之力」發展半導體供應鏈，便是寄希望以第三代半導體「彎道超車」；美日歐全球大廠，諸如蘋果、特斯拉、英飛凌、科銳(CREE)等公司，更是有志一同爭相投入第三代半導體研發產製。稱2021年為第三代半導體元年，一點也不為過。專家認為，第三代半導體與相關功率元件，將是未來十年最重要的關鍵技術，其技術主導權之爭，已躍上檯面。

文：謝志岳

第三代半導體材料的發展趨勢最近頗受國內外關注，鴻海以25.2億元買下旺宏6吋晶圓廠，將做為第三代半導體的研發生產基地，大陸傾「洪荒之力」發展半導體供應鏈，便是寄希望以第三代半導體「彎道超車」。美日歐全球大廠有志一同，包括蘋果、特斯拉、英飛凌、科銳(CREE)等公司也都爭相投入第三代半導體研發產製。稱2021年為第三代半導體元年，一點也不為過。專家認為，第三代半導體與相關功率元件，將是未來十年最重要的關鍵技術，其技術主導權之爭，已躍上檯面。 

全球大廠 爭相投入 

造成第三代半導體爆紅的原因，在於電動車、5G基地台、智慧型手機、新電源、雲端伺服器等需求興起，第三代半導體材料的特性，正符市場所需。 

什麼是第三代半導體？ 

半導體之所以珍貴，是因為半導體為導電性介於導體與絕緣體之間的物質。如眾所知，金屬是會導電的，而絕緣體如陶瓷、石頭是不會導電的，而半導體則介於其間，不像金屬導體的絕對導電，但也不像絕緣體完全不導電。半導體在施加電壓的時候會導電，不施加電壓時則是絕緣，而這完全依賴材料的能隙結構。 

能隙（energy gap）或稱帶隙（band gap）、帶溝、能帶隙（energy band gap）、禁帶寬度（width of forbidden band），指的就是半導體的價帶頂端至傳導帶底端的能量差距，能隙的單位是eV(電子伏特)。

 （詳全文 請見工總產業雜誌110年10月號）